КТ315

npn-транзистор.

Предельные характеристики

Модификация	Uкэо проб, В, не менее	Uэбо проб, В, не менее	Iк max, мА, не менее	Pк max, мВт, не менее	Tп max, °C, не менее	Tmax, °C, не менее
КТ315А	25	6	100	150	120	100
КТ315Б	20	6	100	150	120	100
КТ315В	40	6	100	150	120	100
КТ315Г	35	6	100	150	120	100
КТ315Д	40	6	100	150	120	100
КТ315Е	35	6	100	150	120	100
КТ315Ж	15	6	50	100	120	100
КТ315И	60	6	50	100	120	100

Характеристики при 25°C

Модификация	h21Э min	h21Э max	UКЭ нас, В, не более	UБЭ нас, В, не более	IКО, мкА, не более	IЭО, мкА, не более	fгр, МГц, не менее	CК, пФ, не более	Rт, °C/Вт
КТ315А	30	120	0,4	1,0	6,5	30	250	7	670
КТ315Б	50	350	0,4	1,0	6,5	30	250	7	670
КТ315В	30	120	0,4	1,0	6,5	30	250	7	670
КТ315Г	50	350	0,4	1,0	6,5	30	250	7	670
КТ315Д	20	90	0,6	1,1	2,6	30	250	7	670
КТ315Е	50	350	0,6	1,1	2,6	30	250	7	670
КТ315Ж	30	250	0,5	0,5	2,6	30	150	10	670
КТ315И	30	—	0,9	0,9	2,6	50	250	7	670
КТ315Н	50	350	0,4	1,0	6,5	30

• Uкэо — обратное напряжение коллектор—эмиттер;
• Uэбо — обратное напряжение эмиттер—база;
• Iк — ток коллектора;
• P — рассеиваемая мощность (при 25°C);
• tп — температура перехода;
• t — рабочая температура окружающей среды;
• h21э — статический коэффициент передачи тока (при Uк = 10 В, Iк = 1 мА);
• Uкэнас — напряжение насыщения коллектор—эмиттер;
• Uбэнас — напряжение насыщения база—эмиттер;
• Iко — обратный ток коллектора (Uкб = 10 В);
• Iэо — обратный ток эмиттера (Uэб = 5 В);
• fгр — граничная частота;
• Cк — ёмкость перехода коллектор—база;
• Rт — тепловое сопротивление переход—корпус;