ФЭНДОМ


Полупроводниковый диодполупроводниковый прибор с двумя электродами, а также одним электронно-дырочным переходом или подобными структурами в полупроводнике.

Принцип действия полупроводникового диода Править

В основе принципа действия полупроводникового диода — свойства электронно-дырочного перехода, в частности, сильная асимметрия вольт-амперной характеристики относительно нуля. Таким образом различают прямое и обратное включение. В прямом включении диод обладает малым электросопротивлением и хорошо проводит электрический ток. В обратном — при напряжении меньше напряжения пробоя сопротивление очень велико и ток перекрыт.

Принцип действия универсального диода Править

Вольт-амперная характеристика диода описывается уравнением Шоттки:

I = I_0 \left(e^{\frac{U}{\eta U_T}}-1\right);

где

  • I — ток через диод,
  • U — напряжение между выводами,
  • I_0 — темновой ток насыщения,
  • \eta — коэффициент идеальности,
  • U_T = \frac{k_BT}{q_e} — термическое напряжение (около 25 мВ при 300 К),
  • T — абсолютная температура p—n-перехода,
  • q_e \approx 1,6\times10^{-19} Кл — элементарный заряд,
  • k_B \approx 1,38\times10^{-23} Дж/К — постоянная Больцмана.

Темновой ток насыщения — ток утечки диода, определяемый его конструкцией, является масштабным коэффициентом. Коэффициент идеальности — также конструктивная характеристика диода. Для идеального диода равен 1, для реальных диодов колеблется от 1 до 2 в зависимости от различных параметров (резкость перехода, степень легирования и пр.)

Типы полупроводниковых диодов Править

Diodes

Диоды: а) общее обозначение, б) симметричный, в) туннельный, г) обращённый, д) диод Шоттки; е, ж) стабилитроны; з) варикап; и) термодиод; к) выпрямительный столбик; л, м) диодные сборки; н, о) выпрямительный мост.

Под понятием полупроводникового диода собрано множество приборов с различным назначением. Приборы с одним p—n-переходом;

  1. универсальный;
  2. выпрямительный диод — достаточно мощный, позволяющий получать из переменного тока постоянный для питания нагрузки;
  3. импульсный диод;
  4. лавинно-пролётный диод;
  5. туннельный диод — диод с участком, обладающим отрицательным дифференциальным сопротивлением;
  6. стабилитрон — диод работающий на напряжении электрического пробоя в обратном направлении;
  7. варикап — диод с управляемой напряжением ёмкостью ЭДП в обратном включении;

Приборы с иными разновидностями полупроводниковых структур:

  1. диод Ганна — полупроводниковый прибор без p—n-перехода, использующий эффект доменной неустойчивости;
  2. диод Шоттки — прибор со структурой металл — полупроводник, с уменьшенным падением напряжения в прямом направлении;

Фотоэлектрические приборы:

  1. фотодиод — диод, преобразующий свет в разность потенциалов;
  2. светодиод — диод, излучающий свет.

Также, помимо прочего, к диодам относят:

  1. динистор (диод Шокли), неуправляемый тиристор, имеющий слоистую p—n—p—n-структуру;

Основные характеристики полупроводниковых диодов Править

См. также характеристики электронных компонентов.

  • Uобр max — максимально допустимое постоянное обратное напряжение,
  • Uобр и max — максимально допустимое импульсное обратное напряжение,
  • Iпр ср max — максимально допустимый средний прямой ток,
  • Iпр и max — максимально допустимый импульсный прямой ток,
  • tвос — время восстановления,
  • Pmax — максимальная рассеиваемая мощность,
  • Cд — ёмкость перехода,
  • fmax — максимально допустимая частота переключения,
  • Uпр при Iпр — постоянное прямое напряжение диода при указанном токе,
  • Iобр — постоянный обратный ток.

См. также Править

Источники Править

  1. БСЭ: Полупроводниковый диод [1]

Обнаружено использование расширения AdBlock.


Викия — это свободный ресурс, который существует и развивается за счёт рекламы. Для блокирующих рекламу пользователей мы предоставляем модифицированную версию сайта.

Викия не будет доступна для последующих модификаций. Если вы желаете продолжать работать со страницей, то, пожалуйста, отключите расширение для блокировки рекламы.